技术编号：11433054
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种互连结构及其制造方法。背景技术现今集成电路设计和制造领域所遇到的一个挑战是如何降低信号传输RC延迟(ResistiveCapacitivedelay)，对此，现在技术已经采用的一种方法是将铝金属层替换为铜金属层，降低金属层串联电阻；还有一种方法是降低金属层之间的寄生电容，这可以通过在金属层之间的介质层中构造多孔的(Porous)低介电常数(Lowk)材料或者空气隙(AirGap)来实现。在公开号为US7279427B2的美国专利中公开了一种互连结构的制造方法...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。