技术编号：11434110
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的各实施例及其实现方式涉及存储器，尤其是电可擦除可编程(EEPROM)类型的非易失性存储器，并且更特别地涉及向这些存储器写入数据的操作。背景技术在EEPROM存储器中，存储于存储器位置中的比特的逻辑值是用浮置栅极晶体管的阈值电压的值来表示的，其可以通过写操作来被任意修改。一个写操作一般包括擦除步骤及伴随其后的编程步骤。然而，在某些情况下，写操作可以只包括擦除步骤或只包括编程步骤。因此，例如，如果待写入的字仅包含“0”，则只需要擦除步骤。如果需要写入数字字的存储器位置的先前内容已经仅包含“0...
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