技术编号:11434114
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种反及型闪存及其编程方法,尤其涉及一种被选择的页面(page)的编程(program)方法。背景技术在反及(NotAND,NAND)型的闪存(flashmemory)中,进行页面的读出或编程时,为了抑制因位线(bitline)间的电容耦合(capacitycoupling)引起的噪音(noise),将1根字线(wordline)分成偶数页面与奇数页面而使其动作。例如,进行偶数页面的读出时,将奇数页面接地,进行奇数页面的读出时,将偶数页面接地,而且,进行偶数页面的编程时,将奇数页面设为...
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