技术编号:11434364
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体芯片技术领域,具体而言,涉及一种场效应晶体管的制备方法和一种场效应晶体管。背景技术在相关技术中,VDMOS(VerticalDouble-diffusionMetal-Oxide-Semiconductor,垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管)的基本结构如图1所示,N型场效应管包括:衬底102、栅氧化层104、多晶硅层106(即栅极)、第一氧化层108、P-体区110、N+源区112(即源极)、第二氧化层114以及金属层116。在制作过程中,通过二氧化硅反刻形成侧墙,也即多...
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