技术编号：11434577
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种功率半导体器件，特别是功率场效应管(PowerMOSFET)的设计。背景技术屏蔽栅极沟槽型场效应管(ShieldGateTrenchMOSFET)是一种新型的功率场效应管，并被广泛应用于各种中低压功率控制系统中，如马达驱动、电能转换等。传统的沟槽型场效应管是一种纵向导电的器件，并拥有三个电极：位于器件上表面的栅极、源极、及位于器件下表面的漏极，其中栅极被置于器件上表面的一系列沟槽中。而与传统沟槽型场效应管不同，屏蔽栅极沟槽型场效应管的沟槽中有一个额外的源极电极(下文中称“屏蔽栅电极...
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