技术编号:11434581
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及显示领域,具体涉及一种双栅电极金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。背景技术薄膜晶体管作为有源矩阵驱动平板显示技术的核心器件,广泛应用在显示领域中。目前,在平板显示技术中,硅基薄膜晶体管(TFT)是较成熟的产业化技术,主要包括非晶硅和多晶硅TFT。随着平板显示技术朝着大面积、高分辨率、柔性可卷曲型方向发展以及诸多新型平板显示技术的出现,对TFT的性能提出了更高的要求。近年来,以非晶金属氧化物半导体为有源层的TFT以其优异的表现成为研究焦点。金属氧化物TFT(MOTFT)具有宽禁带、高均匀性...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。