技术编号：11436655
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种太阳电池。具体地，是一种含有低光学折射率差的窗口层与发射区的多结太阳电池。背景技术多结太阳电池通过多层禁带宽度不同的半导体吸收材料，实现了宽光谱范围内太阳光子能量的充分收集与高效利用，从而获得了高的光电转换效率。新一代的高效多结太阳电池，通过级联多个多种不同禁带宽度的半导体材料制成的子电池，实现了光子能量的高效利用，但由于各子电池呈串联关系，对太阳光子的充分收集存在一定的难度。每个子电池都具有窗口层、发射区、基区和背场层等基本结构。传统电池结构中，为了实现载流子高效分离，避免界面符...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。