技术编号：11442708
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种电弧等离子体放电的新型结构，更具体地本实用新型为一种解决长距离直流伸展电弧等离子体放电难题的新型结构。背景技术在金刚石制备技术中有一种方法是直流伸展电弧化学气相沉积(CVD)技术。该技术是在真空条件下，在阴阳电极之间施加一定的直流电压，击穿空气放电产生等离子体。等离子体将输入的反应气体，如氢气、甲烷等充分离化，在工件表面沉积金刚石涂层。传统直流伸展电弧CVD装置如图1所示，包括真空室1，进气管2，阴极3，阳极4，工件5。通常首先在真空室1内通过抽真空系统实现真空环境，然后从进气...
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