技术编号：11442749
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。：本实用新型涉及制造碳化硅外延晶片用高温设备技术领域，特指一种卫星盘自转的SiC外延生长主盘结构。背景技术：大面积、高质量SiC(碳化硅)外延生长是新一代宽禁带SiC功率半导体制造的一项关键技术，是SiC功率半导体进行产业化制造的最小尺寸，它代表了目前SiC外延技术的主流与发展方向。国际上的三家主要SiC外延设备供应商分别是德国Aixtron公司、意大利LPE公司和日本TEL公司，在其提供的商用SiC外延设备中，外延生长室分别采用了不锈钢6英寸多片(6片和8片)“温壁”结构、水平式石英管6英寸单...
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