技术编号:11446651
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是一种涉及生长二维(2D)层状异质结的方法,具体是一种在石墨烯与六角形氮化硼(hBN)表面外延生长超薄有机半导体晶体层的方法,以及其在有机薄膜晶体管(OFETs)电子器件制备中的应用。背景技术二维层状有机晶体材料是电子与光电子学应用领域很有前途的材料。与体材料相比,单层晶体可以有效降低层间屏蔽,因此可以为直接研究晶界及界面对电荷传输的影响提供理想的系统,且载流子注入与调制变得更高效,可以极大的提高OFETs的性能。OFETs是发光二极管(LED)显示器,塑料无线射频识别(RFID)及传感器...
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