技术编号:11448689
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施方式涉及半导体器件的制造。尤其是,实施方式涉及制造期间测量半导体器件的温度。背景技术快速热处理(或RTP)意指在数秒或更低的时幅(timescale)上快速加热硅晶片至高温(高至摄氏1200度或更高)的半导体制造处理。然而在冷却期间,晶片温度必须缓慢下降以防止由热震动的位错(dislocation)及晶片破裂。快速加热速率通常由高强度灯具或激光来达成。RTP被用于包含掺杂物活化、热氧化、金属回流及化学气相沉积的半导体制造的广泛应用。测量处理温度对控制RTP工具中的快速加热及冷却速率是...
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