技术编号：11449393
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及数据存储领域，更具体地说，涉及一种非易失性存储结构、存储单元、存储器及电子标签。背景技术非易失性存储器（Non-Volatilememory）可以在没有电源的情况下储存数据而不会丢失，因此在很多集成电子器件中越来越多的被使用，尤其是集成在射频识别芯片中的使用，可以用来存储芯片序号、产品编码、密钥、操作指令、用户数据等。而传统的电可擦除存储器（EEPROM）采用浮栅存储场效应管，这种结构的存储器工艺复杂，无法与标准CMOS工艺兼容，制造成本高昂。现有技术中也有单层多晶硅非易失性储器，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术无源代码，用于学习原理，如您想要源代码请勿下载。