技术编号：11452067
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种透明导电性膜的制造方法，特别涉及一种具有优异电导率和高透明度，即使在大面积下也能确保均匀的电性能，并且在反复的物理形变下仍可长期稳定工作的透明导电性膜的制造方法。背景技术透明电极在诸如薄膜晶体管(TFT)元件、太阳能电池、触摸屏等多种产业领域中具有广泛的应用。目前，一般将氧化铟锡(ITO)作为透明电极材料，但是存在铟的枯竭和工艺复杂性等问题。而且，ITO的沉积主要通过薄膜沉积工艺进行，导致工艺成本高，并且具有结晶结构的致密薄膜的形成会产生裂纹等问题。因此，近来ITO并不适合用于采用...
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