技术编号：11452627
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本揭示的实施例涉及用于在加工期间控制工件的温度的系统及方法，且更具体而言，涉及利用背面气体流量的变化来局部地控制所述工件温度的系统及方法。背景技术半导体元件的制造涉及多个分立的复杂工艺。一个此种工艺可为自工件移除材料的蚀刻工艺。另一工艺可为将材料沉积于工件上的沉积工艺。再一工艺可为其中将离子植入至工件中的离子植入工艺。此外，在某些实施例中，总体半导体制造过程中的某些工艺可具有不均匀性。举例而言，例如化学机械抛光(chemicalmechanicalplanarization，CMP)等某些工艺可...
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