技术编号：11452825
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及反熔丝存储器及半导体存储装置。背景技术现有技术中，通过破坏绝缘膜来进行一次性数据写入的反熔丝存储器，人们知道的有具有美国专利第6,667,902号说明书(专利文献1)所示结构的反熔丝存储器。在该专利文献1中所示的反熔丝存储器由在阱上并列形成有开关晶体管和存储器电容的双晶体管构成。实际上，由晶体管结构构成的开关晶体管中，在阱上通过开关栅极绝缘膜形成有开关栅极，在开关栅极上连接有字线，且在形成于阱表面的一个扩散区域连接有位线。另外，在与开关晶体管成对的存储器电容中，在阱上通过存储器栅极绝缘...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。