技术编号:11452923
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本说明书公开的技术涉及半导体装置。背景技术专利文献1(日本特开2009-188221号公报)的半导体装置具备:形成有沟槽的半导体基板;覆盖沟槽的内表面的栅极绝缘膜;及配置在沟槽的内部的栅极电极。半导体基板具备:与栅极绝缘膜相接的n型的源极区域;形成在源极区域的下方并与栅极绝缘膜相接的p型的基极区域;及形成在基极区域的下方并与栅极绝缘膜相接的n型的漂移区域。沟槽的底面以中心部比周缘部向上突出的方式形成。在专利文献1的半导体装置中,通过基极区域与漂移区域的pn结来形成空乏层。空乏层向漂移区域的内部扩...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。