技术编号:11455171
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及聚偏氟乙烯加工领域,具体涉及具有高介电常数的高β相聚偏氟乙烯取向薄膜,尤其涉及利用离子液体及单轴牵伸作用获得的高β晶体含量的聚偏氟乙烯复合取向介电膜及制备方法。背景技术近年来,电子产品市场规模不断扩大,具有高储能、超小型化的薄膜电容器成为了研究热点。PVDF薄膜柔韧性好、机械强度高、抗化学及油性腐蚀性能好,介电常数高。但是,目前工业化的有机介质材料的介电常数都比较低,阻碍了该类薄膜电容器的进一步发展。PVDF的介电常数为8-11,约为聚酯膜的3.5倍,为市场上大量应用的聚丙烯膜的5倍,...
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