技术编号：11458429
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于电磁波吸收结构技术领域，特别涉及一种完美吸收体的制造方法。背景技术基于人工合成材料的一种电磁波吸收结构，它的电磁波参数和周围环境的电磁参数可实现阻抗匹配，在特定波段下的吸收率为100％，因此人们称这种电磁波吸收结构为完美吸收体。现有完美吸收体一般采用电子束直写(EBL)生成周期性结构，具体是先生成与吸收体最上层金属阵列互补的周期性阵列，再通过薄膜沉积和剥离(lift-off)形成金属阵列。如，在制造完美吸收体时，需要生成金属圆柱，则对EBL光刻胶进行圆孔曝光和显影生成与金属圆柱同尺寸的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。