技术编号:11459435
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。用于降低动态功率和峰值电流的SRAM位线和写入辅助装置与方法及双输入电平移位器本申请为分案申请,其原申请是于2015年5月27日(国际申请日为2012年12月27日)向中国专利局提交的专利申请,申请号为201280077340.3,发明名称为“用于降低动态功率和峰值电流的SRAM位线和写入辅助装置与方法及双输入电平移位器”。背景技术超大规模集成(VLSI)电路的低功率运行对于当前和将来的处理器中的省电成为必不可少的。而且,功率效率已经成为对于计算机、处理器、移动电话、平板电脑、微型服务器和上网本...
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