技术编号:11459452
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件,特别是涉及应用于包含具备鳍片(fin)式晶体管的存储器单元、或者SOI上的存储器单元在内的半导体器件的有效技术。背景技术作为能够实现电写入、电擦除的非易失性半导体存储器件,广泛使用EEPROM(ElectricallyErasableProgrammableReadOnlyMemory:电可擦可编程只读存储器)。目前广泛使用的以闪存为代表的这些存储器件,在MISFET的栅电极下具有由氧化膜包围的导电性的浮动栅电极或者陷阱性绝缘膜,将浮动栅极或者陷阱性绝缘膜中的电荷蓄积状态作...
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