技术编号:11459580
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体产品领域,尤其涉及半导体致冷片及半导体致冷片制作工艺。背景技术现有的半导体致冷片利用帕尔帖效应来制造低温,让直流电通过一块N型半导体材料和一块P型半导体材料联结成的电偶,因直流电通入的方向不同,将在电偶结点处产生吸热和放热现象。其原理在于,电荷载体在不同的材料中处于不同的能级,当它从高能级向低能级运动时,便释放出多余的能量;相反,从低能级向高能级运动时,从外界吸收能量,能量在两材料的交界面处以热的形式吸收或放出。目前,半导体致冷片的冷热两端一般采用能够绝缘的氧化铝或氮化铝陶瓷板作...
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