技术编号:11459616
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体技术领域,尤其涉及一种半导体功率器件,以及该半导体功率器件的形成方法。背景技术半导体功率器件的过流检测保护,是提升电力电子系统长期可靠性的重要手段。当前主流的半导体功率器件如IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor,绝缘栅双极型晶体管),MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,金氧半场效晶体管)等,过流检测保护一般通过采样阳极和阴极之间压降,反馈给控制驱动单元进行门级控制,从而实现...
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