技术编号:11470593
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及铜系金属膜和金属氧化物膜蚀刻液组合物及利用其的蚀刻方法,更详细而言,涉及包含过氧化氢、含氟化合物、唑类化合物、一个分子内具有氮和羧基的水溶性化合物、磺酸化合物、多元醇型表面活性剂和水的铜系金属膜和金属氧化物膜蚀刻液组合物及利用其的蚀刻方法。背景技术为了在显示装置中实现期望的电气电路的配线,需要按电路图案削掉薄膜层的蚀刻(etching)过程。上述蚀刻过程的意思是,将光致抗蚀剂作为掩模,在选好的区域留下金属膜的工序,通常使用利用等离子体等的干式蚀刻或利用蚀刻液组合物的湿式蚀刻。对于这样的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。