技术编号:11477417
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及程序。背景技术作为半导体器件(Device)的制造工序的一个工序,有时进行在收纳于处理室内的衬底上形成膜的成膜处理(参照例如专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2014-67877发明内容发明所要解决的问题在进行成膜处理时,有时,所用的气体在喷嘴内发生热分解,从而堆积物附着在喷嘴内壁。有时若上述堆积物在成膜处理中发生剥离,则会变为颗粒(即,产生粉尘)并被供给至收纳在处理室内的衬底上,从而以杂质的形式被引入膜中。另外,在使用喷嘴供给气...
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