技术编号：11487417
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及红外探测器加工技术领域，具体涉及一种红外探测器薄膜激光退火系统。背景技术红外探测器分为制冷型和非制冷型，其中制冷型红外探测器在工作状态时，需要使用液氮对其进行制冷处理，使用和维护费用昂贵；非制冷型红外探测器可以在常温下正常工作，使用及维护费用较低，所以现在应用市场上的红外探测器主要为非制冷型红外探测器。红外探测器的主要部件为红外探测芯片，芯片制作时，依次制备底部读出电路层，牺牲层，悬空桥，最后在悬空桥上制备氧化钒薄膜，由于初始制备的氧化钒薄膜方阻较大，结晶特性较差，所以需要对其进行...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。