技术编号：11489786
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路设计，并且更具体地，涉及考虑在电路设计中使用的器件的老化可靠性的半导体集成电路设计。背景技术半导体器件经受随着使用和随时间使其性能劣化的各种现象。随着制造处理技术的发展，特征尺寸变得更小，当前小到几十纳米，这样加重了这种劣化。在这些现象中，有热载流子注入(HCI)、负偏置温度不稳定性(NBTI)和与时间相关的电介质(栅极氧化物)击穿(TDDB)。器件特性发生的改变改变了电路性能，并且可以引发电路故障。因此，需要在集成电路(IC)的设计阶段模拟这些现象的影响，以便检查和分析...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
请注意，此类技术没有源代码，用于学习研究技术思路。