技术编号:11502352
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。多层石墨烯、其形成方法、包括所述多层石墨烯的器件和制造所述器件的方法对相关申请的交叉引用本申请要求2015年12月16日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2015-0180193的优先权,将其公开内容全部引入本文作为参考。技术领域本公开内容涉及多层石墨烯、其形成方法、包括所述多层石墨烯的器件、和制造所述器件的方法。背景技术石墨烯是由碳(C)原子组成的六边形单层结构。石墨烯是在结构上和在化学上稳定的并且具有良好的电特性和物理特性。例如,石墨烯具有为硅(Si)的电荷迁移率的至少100倍高...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。