技术编号:11506934
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电子元件领域,且特别涉及一种电子封装硅铝合金及其制备方法。背景技术磷进行变质是迄今为止最常用和有效的解决硅原料细化的方法,采用磷类变质剂不仅可以细化初晶Si,同时还可以使Al-Si合金的共晶点左移,增加初晶Si数量。目前国内外主要应用的磷类变质剂有赤磷、磷盐复合变质剂和Cu-P(含8~10%的P)中间合金等复合变质剂。然而,上述变质剂在使用过程中存在诸多问题:赤磷复合变质剂,由于磷的燃点和升华温度低,运输和保存过程中存在安全隐患;加入过程中反应剧烈,产生有毒五氧化二磷气体,污染环境;磷...
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