技术编号:11507501
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及单晶制备技术领域,特别是一种碲锌镉单晶的新型单晶炉及生长工艺。背景技术碲锌镉单晶体具有较宽的带隙,较高的红外透过率,是一种理想的用于生长碲镉汞外延薄膜的衬底材料。同时,由于其具有能量分辨率高、本征探测效率高、体积小、可在常温下使用等优点,是制造室温核辐射探测器最为理想的半导体材料。为了获得大尺寸、高质量的碲锌镉CdZnTe单晶体。长期以来,人们采用多种生长方法进行了碲锌镉单晶体生长的研究,包括:气相法、垂直布里奇曼法、区熔法、助熔剂法、垂直梯度凝固法、移动加热区法、水平布里奇曼法、高压...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。