技术编号:11511079
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。制造碳化硅单晶的装置本申请是于2011年12月16日申请的申请号为201110431762.3、发明名称为“制造碳化硅单晶的装置”的分案申请。技术领域本发明涉及一种制造碳化硅(SiC)单晶的装置。背景技术碳化硅(SiC)因为其高电子迁移率和高击穿电压而期待用作功率设备的半导体材料。通常,升华方法(即,变型的Lely方法)以及化学蒸发沉积(CVD)方法已知为制造用于功率设备的基片的SiC单晶的方法。在变型的Lely方法中,SiC材料插入石墨坩埚,并且籽晶(即,基片晶体)以如此的方式放置于坩埚的内壁...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。