技术编号:11516672
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于太阳能电池材料领域,涉及一种用于处理半导体基板的方法,所述方法得到的半导体基板,以及所述基板的用途和包含所述基板的太阳能电池。背景技术晶硅最常见的杂质是非金属杂质,如氧(O)、碳(C),以及过渡金属,如铁(Fe)、铬(Cr)、镍(Ni)、铜(Cu)、钛(Ti)等。这些金属杂质的带正电离子在硅能带中造成深能级缺陷态,极易复合少数载流子(简称少子)。另外,由于铸造多晶生长方式和热应力的影响,多晶硅片中会产生各类结构缺陷,其中最常见的是晶界和位错。这些缺陷通常伴随着大量的硅悬挂键,也会对少子...
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