技术编号:11519610
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开内容的实施方式总体涉及将烷基胺使用于金属氮化物的选择性移除的方法及设备。背景技术诸如氮化钛(TiN)和氮化钽(TaN)之类的金属氮化物材料常用在半导体产业中的许多半导体应用,例如作为掩蔽材料或作为阻挡材料。然而,选择性移除金属氮化物掩蔽材料而不损伤其他结构(例如暴露的或下方的介电或金属层)是非常困难的。当基于溶液或基于等离子体的方法并非可行的和/或理想的时,选择性移除金属氮化物掩蔽材料而不损伤其他结构的问题变得更加困难。因此,本发明人开发了用于选择性地相对于暴露的或下方的介电或金属层移除金...
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