技术编号：11519630
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。共享鳍或纳米线的场效应器件的器件隔离背景领域本公开的各方面涉及半导体器件，尤其涉及毗邻器件之间的隔离。背景技术随着集成电路(IC)技术的进步，器件几何形状减小。减小几何形状和器件之间的“节距”(间隔)可使得器件在恰当操作方面相互干扰。基于鳍的器件是半导体基板的表面上的三维结构。基于鳍的晶体管(其可以是基于鳍的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET))可被称为FinFET。纳米线场效应晶体管(FET)也是半导体基板的表面上的三维结构。纳米线FET包括纳米线的掺杂部分，这些掺杂部分接触沟道区并且...
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