技术编号：11521813
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例是涉及一种半导体装置的制造方法，且尤其涉及一种使用冷冻工艺的半导体装置的制造方法。背景技术在一例示性现有工艺中，会将光刻胶层提供于衬底上并对光刻胶层进行图案化，因此暴露出衬底的一些区域。接着，将掺质注入经暴露的区域。然而，注入工艺可化学性改变光刻胶层的外部，因此外部包括具有分子间键结(inter-molecularbond)的坚硬聚合物。由于光刻胶层包括经化学性改变的外部，因此难以使用现有的技术来移除光刻胶层。发明内容在本发明实施例中，一种半导体装置的制造方法包括以下步骤。在衬底上形...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。