技术编号:11521951
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例提供存储器装置、栅极堆叠及其制造方法。背景技术非常希望按比例减小硅氧化氮氧化硅(SONOS)存储器装置的擦除电压,这通常已通过减小隧穿氧化层的厚度来实现。然而,常规SONOS存储器装置具有导电存储层,且因此较薄的隧穿氧化层将引起显著的泄漏问题。所存储的电荷更可能通过较薄的隧穿氧化层而非通过较厚的隧穿氧化层而泄漏到衬底。发明内容本发明实施例提供一种存储器装置,其包括:衬底,其包含源极区域及漏极区域;以及栅极堆叠,其形成于所述衬底的表面上方,其中所述栅极堆叠包含:隧穿层;第一层;第二层;...
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