技术编号:11522002
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体功率器件技术领域,具体涉及一种SOI横向高压器件。背景技术与常规的体硅技术相比,SOI技术具有高速、低功耗、高集成度、极小的寄生效应以及良好的隔离特性等优点,并减弱了闭锁效应和具备强抗辐照能力,使集成电路的可靠性和抗软失误能力大大提高,正逐渐成为制造高速度、低功耗、高集成度和高可靠性的集成电路的主流技术。以SOI横向高压器件为基础的SOI高压集成电路(HighVoltageIC,简称HVIC),作为智能功率集成电路(SmartPowerIC,简称SPIC)领域的一个新兴分支,近年...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。