技术编号:11522699
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体光电子器件技术领域,更具体地涉及一种GaN基紫外激光器晶圆、激光器芯片及激光器及其制备方法。背景技术随着半导体光电子器件的迅速发展,氮化镓基激光器因其优越的性能被广泛研究和应用。由于氮化镓具有较宽的禁带宽度,因此它的发光波长可以覆盖整个可见光光谱,具有很大的可调性;另外,氮化镓基激光器具有发光效率高,热导率高,化学稳定性好的特点,可广泛应用于工业加工领域、医学治疗领域、军事领域以及理论研究领域。但目前为止,对氮化镓基激光器的研究制备比较成熟的是蓝紫光波段,而紫外激光器还处于研究阶...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。