技术编号:11523468
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路领域,尤其涉及一种具有电压自动调节功能的负电压产生电路。背景技术在集成电路领域中,通常把0.35-0.8μm及其以下称为亚微米级,0.25um及其以下称为深亚微米,0.05um及其以下称为纳米级。目前,集成电路的主流生产工艺技术为0.010μm-0.028μm。随着CMOS工艺特征尺寸向着深亚微米(90nm以下)方面发展,芯片供电电压越来越低,甚至低于1V。在如此低的电源电压下,传统的模拟电路结构(如:运放、电流源)将不能正常工作。为了使传统的模拟电路结构在极低电源电压下也能正...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。