技术编号:11528453
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种组合物、片的制造方法、片、层叠体及带有元件晶片的层叠体。更详细而言,本发明涉及一种在半导体装置等的制造中可优选地使用的组合物、片的制造方法、片、层叠体及带有元件晶片的层叠体。背景技术在集成电路(IntegratedCircuit,IC)或大规模集成电路(LargeScaleIntegration,LSI)等半导体元件的制造工艺(process)中,在元件晶片上形成多个IC芯片,并通过切割(dicing)而单片化。伴随着电子设备的进一步的小型化及高性能化的需求(needs),对搭载在...
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