技术编号:11528987
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。用于抑制熔体污染的堰体对相关申请的交叉引用本申请要求2014年7月25日提交的美国非临时专利申请No.14/341,584的优先权,其全部公开内容通过引用整体并入本文中。技术领域本发明总体涉及用于生产半导体或太阳能材料的晶锭的系统和方法,更特别地涉及用于减少晶锭中的缺陷或位错的系统和方法。背景技术在通过提拉(CZ)法生长的单晶硅的生产中,首先使多晶硅在拉晶装置的诸如为石英坩埚的坩埚中熔化,以形成硅熔体。然后提拉器将晶种下降到熔体中,并且缓慢地将晶种从熔体中提升出来,从而使熔体在晶种上凝固。为了使...
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