技术编号:11528991
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及单晶的制造装置和应用于该制造装置的坩埚。更详细而言,涉及基于溶液生长法的SiC单晶的制造装置和应用于该制造装置的坩埚。背景技术在SiC单晶的制造方法中,例如存在溶液生长法。在溶液生长法中,使安装于晶种轴的晶种与容纳于坩埚的Si-C溶液相接触。使Si-C溶液中的、晶种的附近部分为过冷状态,使SiC单晶在晶种上的晶体生长面生长。Si-C溶液是碳(C)溶解于Si或Si合金的熔体而成的溶液。在Si-C溶液的生成方法中,例如存在以下方法:将Si放入石墨坩埚中,利用感应加热装置来加热坩埚。感应加热...
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