技术编号：11530075
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及一种用于测量外部磁场的自参考（self-referenced）MRAM单元和包括该自参考MRAM单元的磁场传感器。本公开还涉及一种用于对磁场传感器进行编程的方法。背景技术自参考MRAM单元可以被用在磁性传感器或罗盘中以感测磁场。MRAM单元包括磁性隧道结，其包括具有固定参考磁化的参考层，具有自由感测磁化的感测层和在该感测层和参考层之间的隧道势垒层。参考磁化和感测磁化可以被定向成平行于参考层和感测层的平面。感测层的定向中的改变典型地被用来测量外部磁场。传感器设备可以由以电路配置布置的多个...
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