技术编号:11531316
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及:在半导体元件的制造工序中抑制低介电常数膜和包含钽的材料的损伤、去除被处理物表面的光致抗蚀剂和干蚀刻残渣的清洗液、及使用其的清洗方法。背景技术经过高集成化的半导体元件的制造通常如下:在硅晶圆等元件上形成作为导电用布线原材料的金属膜等导电薄膜、用于进行导电薄膜间的绝缘的层间绝缘膜,然后在其表面上均匀地涂布光致抗蚀剂而设置光敏层,并对其实施选择性地曝光、显影处理,制作期望的光致抗蚀剂图案。接着,以该光致抗蚀剂图案作为掩模,对层间绝缘膜实施干刻蚀处理,从而在该薄膜上形成期望的图案。而且,一般...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。