技术编号:11531323
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施方式涉及蚀刻方法,特别而言,涉及通过对被处理体进行的等离子体处理,相对于第二区域选择性地对含有硅原子和氧原子的第一区域进行蚀刻的方法,其中,上述第二区域由与该第一区域不同的材料构成。背景技术在电子器件的制造中,有时对含有硅原子和氧原子的区域、例如由氧化硅(SiO2)构成的区域进行形成孔或槽这样的开口的处理。在这样的处理中,如美国专利第7708859号说明书所记载的那样,通常将被处理体暴露于碳氟气体的等离子体中而对该区域进行蚀刻。另外,已知有相对于第二区域选择性地对含有硅原子和氧原子的...
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