技术编号:11531428
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。背景技术作为电力用半导体装置之一,有IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor:绝缘栅双极型晶体管)。在IGBT中,有具有例如400V、600V、1200V、1700V、3300V或其以上的耐压的IGBT。IGBT有时用于例如变换器、逆变器等电力变换装置。对于电力用半导体装置,在要求低损耗、高效率、高耐量的同时要求低噪声(EMC)。EMC依赖于电压的随时间变化(dV/dt)。例如在逆变器工作时,导通的二极管在低电流时的dV/dt最...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。