技术编号:11531443
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于制造CZTS基太阳能电池光吸收层的金属硫属化物纳米颗粒、制备其的方法、使用所述纳米颗粒制造的CZTS基太阳能电池光吸收层和制造太阳能电池的方法。本申请要求于2014年11月13日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2014-0157951的权益,其公开内容通过引用整体并入本文。背景技术从其发展的早期阶段开始就已经使用以高成本形成的光吸收层以及作为半导体材料的硅(Si)来制造太阳能电池。为了更经济地制造工业上可行的太阳能电池,已经开发了利用廉价的光吸收材料(例如铜铟镓(二)...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。