技术编号：11531460
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种发光组件以及发光组件的制造方法，特别涉及通过磊晶成长而形成一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层以及一窗层兼支持基板，以及在经除去基板后对经形成有电极的发光组件基板施以粗糙面处理时的结构以及制造方法。背景技术近年，发光二极管(LED)向着高效率化前进，并渐渐适用于照明设备。已知的照明设备几乎都是由InGaN系的蓝色LED与荧光剂所组合而成的设备。然而，在使用荧光剂时由于无法避免原理上的斯托克斯损失(Stokesloss)的发生，因此会有无法将荧光剂所受光的全部的光变换为其他波长的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。