技术编号：11531462
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种使用化合物半导体材料的半导体发光组件。背景技术AlGaInP系材料在III-V族化合物半导体混晶(氮化物除外)中具有最大的直接跃迁型带隙，而被使用作为500～600nm带的发光组件材料。特别是与已知使用GaP或GaAsP等的间接跃迁型材料之物相比，具有由与GaAs基板晶格匹配的AlGaInP所组成的发光部的发光组件，可进行高亮度的发光。然而，即使是此种具有由AlGaInP所组成的发光部的发光组件，亦并无法保证其在短波长区域(黄色发光)的发光效率必然足够。作为在短波长区域中发光效率低...
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