技术编号:11531463
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。用于GaN垂直微腔面发射激光器(VCSEL)的方法相关申请本申请要求2014年9月30日提交的题为“用于GaN垂直微腔面发射激光器(VCSEL)的方法(AMethodforGaNVerticalMicrocavitySurfaceEmittingLaser(VSCEL))”的美国临时申请序列第62/057543号的权益,其全部内容通过引用并入本文。背景技术领域本技术涉及形成纳米多孔氮化镓材料。多孔氮化镓可用于集成光学器件,例如垂直腔面发射激光器和发光二极管。背景技术半导体材料的蚀刻是在微加工(m...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。