技术编号：11531464
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种光电子半导体芯片，尤其涉及发射辐射的光电子半导体芯片，例如LED芯片。相关申请的交叉参引本申请要求德国专利申请102014115740.0的优先权，其公开内容通过参引的方式并入本文。背景技术在例如为LED芯片的光电子半导体芯片中，为了电接触通常将金属连接层施加到半导体层上。但是因为金属具有高的消光系数，所以在金属连接层中吸收所发射的辐射的一部分。发明内容本发明所基于的目的是：提出一种具有至少一个金属连接层的改进的光电子半导体芯片，其中降低在金属连接层中的吸收损失。所述目的通过根据独...
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